포토레지스트(Photoresist, PR)는 빛에 반응(감광)해 특성이 변하는 화학물질로, 디스플레이에서는 TFT(박막트랜지스터)에 미세한 회로를 형성하는 포토리소그래피(Photolithography)공정에 사용됩니다.

포토레지스트는 빛에 의해 화학적 특성이 변하는데, 종류에 따라 빛을 받으면 딱딱해지거나, 반대로 녹기 쉽게 변합니다. 이러한 포토레지스트의 형질 변화를 이용해, 약해진 부분만 선택적으로 제거함으로서 회로로 사용할 부분과 아닌 부분을 구분해 미세한 회로 패턴을 판화처럼 입체적으로 깎아 만들며, 이 기법을 포토리소그래피라고 합니다. (용어알기 40편 -포토리소그래피 참고)

TFT 제조의 핵심 공정인 포토리소그래피 공정에서 포토레지스트는 TFT 기판 위에 얇게 도포되는 방식으로 사용됩니다. 이후 전자 회로 패턴을 그릴 부분과 나머지 부분을 구분하는 포토마스크(Photomask)를 포토레지스트 위에 덧댄 후 빛을 비추면, 포토레지스트는 빛을 받은 부분과 아닌 부분의 특성이 달라지게 되며, 특성이 달라진 두 영역간의 용해도 차이를 이용해 용해가 수월한 포토레지스트를 현상공정(Development)을 통해 제거합니다. 포토레지스트가 사라진 영역에 남아있는 증착 물질은 식각공정(Etching)을 통해 제거되며, 남겨진 포토레지스트 하부의 증착 물질은 포토레지스트의 보호를 받아 그대로 유지됩니다. 마지막으로는 실제 회로의 소재 역할을 하는 증착 물질만 남기고, 역할을 마친 포토레지스트는 박리해 제거합니다.

포토레지스트는 포지티브(Positive)형과 네거티브(Negative)형으로 나뉘는데, 포지티브는 빛을 받은 부분이 현상액에 용해되며, 네거티브는 반대로 빛을 받지 않은 부분이 용해되는 특징을 갖으므로, 필요에 따라 선택적으로 사용됩니다.

포토리소그래피는 디스플레이 TFT 회로의 미세화 정도를 결정하는 핵심 공정이며, 포토레지스트는 이 공정을 진행할 때 필요한 핵심 소재입니다.